1，物理性质： 原子量：69.723 熔点：29.78 ℃ 沸点：2403 ℃ 密度：5.907 g/cm 3 (20 ℃ ) 莫比硬度：1.5 kg/mm 2 超临界温度：1.087k 固态略带兰色，质软，液态银白色。 2，规格： 化学纯度： 高纯：ga-05 纯度99.999%以上，银，铝，钙，铬，铜，铁，，铟，，锰，镍，铅，锑，锡，锌杂质总含量小于10ppm； 超纯：ga-06 纯度99.9999%以上，铬，铜，铁，，锰，镍，铅，锑，锡，锌杂质总含量小于1ppm； 超高纯：ga-06 纯度99.99999%以上，铜，铁，，锰，镍，铅，锑，锡，锌杂质总含量小于0.1ppm。 3，物理性状：固体。 4，用途： 主要用于制备 ⅲ -ⅴ族化合物半导体，为gaas, gap, gaasp, gaalas, gaalp高纯合金，晶体管合金，温合金，原子反应堆中之热载体以及锗，硅单晶的掺杂剂。 5，包装：聚瓶封装，塑料薄膜外封。